高迁移率等向性 GdN 导电性
材料科学
2025-02-05 v1
摘要
我们报道了生长于 LaAlO3 (001) 表面方格网上的 (001) GdN 薄膜的电子输运研究，这得益于最近在几种稀土氮化物薄膜生长方面取得的进展。我们对该薄膜进行表征，包括原位 RHEED 和外镜 XRD/XRR，以展示迄今为止最佳的晶体性和最光滑的表面。其清晰的磁性相变温度约为 70 K，饱和磁化在不确定范围内为 7 μB/Gd³⁺ 离子，余磁化为 5 μB/Gd³⁺ 离子， coercivity 约为 5 mT。其含有约 1% 氮空位，引入约 3×10²⁰ cm⁻³ 电子至导带。电阻呈导带掺杂至退伏状态的特征，残余电阻比为 2，霍尔电阻允许将普通霍尔和异常霍尔分量轻松分离。迁移率显著高于我们此前发现的薄膜。
引用
@article{arxiv.2502.02005,
title = {Conductivity of high-mobility epitaxial GdN},
author = {Edward X. M. Trewick and B. J. Ruck and W. F. Holmes-Hewett and H. J. Trodahl},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.02005},
year = {2025}
}
备注
6 pages, 6 figures