磁性 Heusler 合金-SrTiO$_3$ 界面处的二维电子气类电荷输运
材料科学
2014-01-07 v2
摘要
我们报道了在 (001) SrTiO 上外延生长的 CoMnSi 和 CoFeSi 薄膜中显著低的剩余电阻率、巨大的剩余电阻率比、类自由电子霍尔电阻率以及高迁移率（ 10 cmVs）的电荷输运现象。这种异常行为未在具有可比晶格参数的其他立方氧化物衬底上沉积的薄膜中观察到。电阻率随薄膜厚度的缩放关系允许提取界面电导，原子级分辨的电子显微镜和光谱分析揭示这可归因于限制在界面 1.9 nm 范围内的氧空位层。在此观察到的全自旋极化金属界面处的高迁移率输运对于自旋电子学应用具有潜在重要性。
引用
@article{arxiv.1208.3099,
title = {Two-dimensional electron-gas-like charge transport at magnetic Heusler alloy-SrTiO$_3$ interface},
author = {P. K. Rout and Himanshu Pandey and Lijun Wu and Anupam and P. C. Joshi and Z. Hossain and Yimei Zhu and R. C. Budhani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.3099},
year = {2014}
}