LaAlO3/SrTiO3结构中高迁移率的起源与前景
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
具有高迁移率导电性的LaAlO3/SrTiO3结构近来引起了广泛期待，因为它们可能代表着迈向全氧化物电子器件设计的重要一步。为了发展这些技术应用，全面理解导电电子系统的维度和起源至关重要。为阐明这一问题，我们研究了在低氧压下外延生长于TiO2终止的(001)-SrTiO3衬底上的LaAlO3层的磁输运性质。与近期报道一致，发现了约10^4 cm2/Vs的低温迁移率。我们确凿地证明该电子系统是三维的，排除了任何载流子的界面限制。我们认为高迁移率导电源于SrTiO3中氧空位的掺杂，并延伸至SrTiO3衬底中数百微米的深度。这种基于SrTiO3的高迁移率异质结构在电子和自旋电子器件方面具有独特潜力。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606182,
title = {Origin and Perspectives of High Mobility in LaAlO3/SrTiO3 Structures},
author = {G. Herranz and M. Basletic and M. Bibes and C. Carretero and E. Tafra and E. Jacquet and K. Bouzehouane and C. Deranlot and J. -L. Maurice and A. Hamzic and J. -P. Contour and A. Barthelemy and A. Fert},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606182},
year = {2007}
}
备注
17 pages, 3 figures