GaAs δ 掺杂量子线超晶格中的展宽过程
介观与纳米尺度物理
2007-08-14 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们利用高磁场和低温条件下的量子霍尔效应与 Shubnikov-de Haas 实验，分析了由受控位错滑移从二维量子阱超晶格生成的一维量子线超晶格及原始二维量子阱超晶格中朗道能级的展宽过程。首先，我们从不同磁场构型及两种超晶格的测量电流下的 Shubnikov-de Haas 曲线阻尼因子中推导出展宽的起源。随后，我们引入了一个与局域化过程相关的退相位因子，写出了量子霍尔效应中电阻率的通用公式。
引用
@article{arxiv.0708.1674,
title = {Broadening processes in GaAs delta-doped quantum wire superlattices},
author = {T. Ferrus and B. Goutiers and J. Galibert and F. Michelini},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.1674},
year = {2007}
}