窄单层石墨烯霍尔器件中量子霍尔效应的局部击穿
介观与纳米尺度物理
2013-04-02 v1 材料科学
摘要
我们分析了由剥离的单层石墨烯转移到 SiOx 上制成的 1 微米宽霍尔器件中量子霍尔效应的击穿现象。我们观察到，在电流密度高达 5 A/m 之前，霍尔电阻对其量子化值的偏离对纵向电阻率的依赖性较弱；在此范围内，即使纵向电阻随电流单调增加，霍尔电阻仍保持量子化。随后，量子化电阻发生坍缩，而纵向电阻继续保持其逐渐增加的趋势。电导率随电流的指数增长表明，杂质介导的朗道能级间散射是击穿的机制。结果被解释为：由于随机分布的散射中心介导了击穿过程，导致整个样品的击穿行为存在强烈变化。
引用
@article{arxiv.1302.4729,
title = {Local breakdown of the quantum Hall effect in narrow single layer graphene Hall devices},
author = {Cenk Yanik and Ismet I. Kaya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.4729},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 5 figures. Accepted for publication in Solid State Communications