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石墨烯量子霍尔效应击穿中由液滴诱导的电阻振荡

介观与纳米尺度物理 2019-03-26 v1

摘要

我们报告了在由生长于 SiC 上的化学栅控石墨烯薄膜制成的宽霍尔条中量子霍尔平台的稳定性。ν=2\nu=2 量子化平台从磁场 B5B \simeq 5 T 开始出现,并持续到 B80B \simeq 80 T。在高电流密度下,处于击穿区域时,纵向电阻以 1/B1/B 周期性和一个反常相位振荡,我们将此与额外电子库的存在联系起来。高场实验数据表明,这些电子库导致载流子密度持续增加,直至最高可用磁场,从而拓宽了量子平台。这些面内不均匀性,以高载流子密度石墨烯口袋的形式,调制了量子霍尔效应击穿并降低了击穿电流。

关键词

引用

@article{arxiv.1611.08179,
  title  = {Puddle-induced resistance oscillations in the breakdown of the graphene quantum Hall effect},
  author = {M. Yang and O. Couturaud and W. Desrat and C. Consejo and D. Kazazis and R. Yakimova and M. Syväjärvi and M. Goiran and J. Béard and P. Frings and M. Pierre and A. Cresti and W. Escoffier and B. Jouault},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1611.08179},
  year   = {2019}
}

备注

accepted in Physical Review Letter in November, 2016