隧穿 delta-GaAs/Al 结构在持续隧穿光电导条件下的二维子带谱变化
介观与纳米尺度物理
2020-08-27 v1 强关联电子
摘要
在低温持续隧穿光电导(PTPC) regime 下研究了 Al/-GaAs 结构的二维电子气(2DEG)态。在 ~ 时观察到未占据子带向 2DEG 基态“增厚”。发现在 ~ 时子带能级发生均匀移动。在不同光照和不同温度后隧穿谱中持续二维态的行为使我们推测存在两种 PTPC 机制,即 层势阱轮廓的展宽和 DX 中心的光电离。
引用
@article{arxiv.2008.11471,
title = {2D-subband spectra variations under persistent tunneling photoconductivity condition in tunnel delta-GaAs/Al structures},
author = {S. E. Dizhur and I. N. Kotel'nikov and V. A. Kokin and F. V. Shtrom},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.11471},
year = {2020}
}
备注
This is a post-peer-review, pre-copyedit version of an article published in "Physics of Low - Dimensional Structures" (PLDS)