压力对2DEG隧穿输运影响的实验研究
凝聚态物理
2015-06-24 v1
摘要
我们介绍了在4.2 K下、最高2 GPa压力下{Al/-GaAs}系统中隧穿的概念及初步测量结果。所得结果可能表明以下结论：{Al/-GaAs}的势垒高度在P=0时为0.86 eV，其压力系数为；δ层中的带电杂质密度在约1.5 GPa时开始从下降至；2DEG在约2 GPa时可能发生金属-绝缘体转变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0209407,
title = {Experimental Study of Pressure Influence on Tunnel Transport into 2DEG},
author = {E. M. Dizhur and A. N. Voronovsky and I. N. Kotel'nikov and S. E. Dizhur and M. N. Feiginov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209407},
year = {2015}
}