高温下氮离子束在 InP (100) 中合成 InN
材料科学
2007-08-17 v1
摘要
通过在 400°C 高温下进行 50 keV N+ 注入，随后在 N2 气氛中于 525°C 退火，在结晶 InP(100) 衬底上生长了 InN 相。对生长的相进行了晶体结构学和拉曼散射研究以进行表征。温度和功率依赖的光致发光研究显示，在温度 <=150K 时存在约 1.06 eV 的直接带间跃迁峰。研究发现，在高温下采用低离子束流进行注入，并随后进行低温退火步骤，是生长高质量 InN 相的原因。
引用
@article{arxiv.0708.2221,
title = {Nitrogen ion beam synthesis of InN in InP (100) at elevated temperature},
author = {S. Dhara and P. Magudapathy and R. Kesavamoorthy and S. Kalavathi and V. S. Sastry and K. G. M. Nair and G. M. Hsu and L. C. Chen and K. H. Chen and K. Santhakumar and T. Soga},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.2221},
year = {2007}
}
备注
11 pages, 4 figures, Journal