通过外延沉淀共格嵌入的中心对称PbTe/CdTe量子点
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
展示了一种制造高度对称且共格嵌入单晶基体中的量子点的概念。在该方法中，量子点的形成是由外延二维量子阱转变为尺寸约25 nm的孤立沉淀物阵列所诱导的。形成过程由组成材料因晶格结构不同而导致的不混溶性驱动。所研究的PbTe/CdTe异质系统结合了两种晶格常数几乎相同的立方晶格。因此，沉淀的量子点几乎无应变，并且在接近热力学平衡时呈现小菱方-立方-八面体形状。生长在GaAs衬底上的PbTe/CdTe量子点在约3.2微米波长处显示出强烈的室温发光，这使得它们在中红外光子器件应用中前景广阔。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602516,
title = {Centrosymmetric PbTe/CdTe quantum dots coherently embedded by epitaxial precipitation},
author = {W. Heiss and H. Groiss and E. Kaufmann and G. Hesser and M. Boberl and G. Springholz and F. Schaffler and K. Koike and H. Harada and M. Yano},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602516},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 3 figures