碲化镉结构在六方氮化硼上的分子束外延生长
材料科学
2023-12-13 v1
摘要
我们研究了在二维衬底上外延生长三维半导体的可行性。具体而言，我们首次报道了碲化镉（CdTe）量子阱在六方氮化硼（hBN）上的分子束外延生长。量子阱的存在通过氦温下的光致发光测量得到确认。在二维、近乎完美平坦的 hBN 上生长量子阱与在体衬底上生长非常不同，特别是它需要低 70–100C 的温度。
引用
@article{arxiv.2311.04650,
title = {Molecular beam epitaxy growth of cadmium telluride structures on hexagonal boron nitride},
author = {Adam Krzysztof Szczerba and Julia Kucharek and Jan Pawłowski and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Wojciech Pacuski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.04650},
year = {2023}
}
备注
submitted to ACS Omega, 7 pages, 8 figures