SrTiO3上结晶的高迁移率Cd3As2薄膜的结构表征
材料科学
2018-04-18 v1 强关联电子
摘要
Cd3As2 长期以来被认为是一种高迁移率半导体。近期在该化合物中发现拓扑半金属态，要求生长具有高结晶度和受控厚度的外延薄膜。本文报道了通过固相外延在高达 600 C 的优化帽层和衬底上于 SrTiO3 衬底上生长的 Cd3As2 薄膜的结构表征。As 三角晶格在外延上堆叠于 (001) SrTiO3 衬底的 Ti 方形晶格上，生成 (112) 取向的 Cd3As2 薄膜，表现出高结晶度（摇摆曲线宽度为 0.02）和超过 30,000 cm2/Vs 的高电子迁移率。对不同温度退火的薄膜进行系统表征，使我们识别出两步结晶过程：随着退火温度升高，先发生面外方向、随后发生面内方向的结晶。我们在 Cd3As2 高温结晶过程上的发现，为实现高质量 Cd3As2 薄膜制备以及通过 SrTiO3 衬底背栅调控阐明量子输运提供了独特途径。
引用
@article{arxiv.1804.06312,
title = {Structural characterisation of high-mobility Cd3As2 films crystallised on SrTiO3},
author = {Yusuke Nakazawa and Masaki Uchida and Shinichi Nishihaya and Markus Kriener and Yusuke Kozuka and Yasujiro Taguchi and Masashi Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.06312},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 4 figures