二维铁磁性Fe3GeTe2上双层Bi(110)的外延生长
材料科学
2021-12-15 v3
摘要
具有选择性组分的二维(2D)层状材料异质结构在创造新功能方面发挥着重要作用。二维铁磁体与电子材料之间的有效界面耦合，将能够产生由本征对称性破缺和界面邻近效应引起的奇异物理现象。本文报道了在具有大磁各向异性的二维铁磁性Fe3GeTe2(FGT)上外延生长双层Bi(110)的研究。发现双层Bi(110)岛沿FGT的固定晶格方向延伸。六种择优取向可分为两组三重对称轴，其夹角约为26°。此外，dI/dV测量证实了双层Bi(110)与FGT之间存在界面耦合。还观察到双层Bi(110)边缘能隙的变化，该变化受其屈曲原子结构相关的界面耦合强度调制。该系统为进一步研究二维铁磁衬底上外延Bi(110)的奇异电子性质提供了良好平台，并推动了在自旋器件领域的潜在应用。
引用
@article{arxiv.2110.05066,
title = {Epitaxial growth of bilayer Bi(110) on two-dimensional ferromagnetic Fe3GeTe2},
author = {Yilian Xi and Mengting Zhao and Haifeng Feng and Ying Sun and Xingkun Man and Xun Xu and Weichang Hao and Shi Xue Dou and Yi Du},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.05066},
year = {2021}
}
备注
15 pages, 4 figures