具有高质量异质界面的外延铁磁 Fe$_{3}$Si/Si(111) 结构
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
为了开发基于硅的自旋电子器件，我们探索了高质量的铁磁 FeSi/硅 (Si) 结构。使用 130 C 的低温分子束外延，我们在 Si (111) 上实现了铁磁 FeSi 层的外延生长，同时保持了陡峭的界面，并且生长的 FeSi 层具有有序的 相。对 FeSi/Si(111) 的磁学和电学性质测量分别得到：室温下的磁矩约为 3.16 /f.u.，以及理想因子约为 1.08 的整流肖特基二极管行为。
引用
@article{arxiv.0810.2835,
title = {Epitaxial ferromagnetic Fe$_{3}$Si/Si(111) structures with high-quality hetero-interfaces},
author = {K. Hamaya and K. Ueda and Y. Kishi and Y. Ando and T. Sadoh and M. Miyao},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.2835},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 3 figures