采用固相外延生长的铁磁体/半导体/铁磁体混合三层膜
材料科学
2018-10-17 v1
摘要
由于金属与半导体这类材料间结晶能差异巨大，通过分子束外延在金属上直接生长半导体是一项困难的任务。在自旋电子学背景下，这一方面存在问题，因为相干自旋注入必须通过穿过尖锐界面肖特基势垒的弹道输运进行。我们报道了利用固相外延实现单晶铁磁体/半导体/铁磁体混合三层膜，组合包括 Fe3Si、Co2FeSi 和 Ge。在非晶 Ge 于 Fe3Si 上缓慢退火后形成被识别为 FeGe2 的结晶薄膜。当退火在 Co2FeSi 上进行时，反射高能电子衍射和 X 射线衍射表明形成了另一种结晶的 Ge(Co,Fe,Si) 化合物，其也保持了生长取向。由于在两种金属的不同矫顽场以及界面质量，可能在 Fe3Si/FeGe2/Co2FeSi 样品中观察到铁磁层的独立磁化翻转。该结果是迈向实现垂直自旋选择性晶体管类器件的一步。
引用
@article{arxiv.1806.02733,
title = {Ferromagnet/Semiconductor/Ferromagnet Hybrid Trilayers grown using solid phase epitaxy},
author = {Samuel Gaucher and Bernd Jenichen and Jens Herfort},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.02733},
year = {2018}
}
备注
4 pages