单晶石墨烯生长的时间演化与高分辨率同位素标记
材料科学
2015-09-07 v1
摘要
我们开发了一种精确的同位素标记方法，用于可视化化学气相沉积 (CVD) 法生长石墨烯的连续过程。该方法使我们能够以数秒的时间分辨率实时观察石墨烯单晶的生长。利用该技术，我们提取了各向异性生长速率、枝晶的形成以及甲烷在铜上吸附面积的依赖性。我们获得了石墨烯生长动力学的物理图像及其对各种参数的依赖关系。最后，我们的方法也适用于其他 CVD 生长的材料。
引用
@article{arxiv.1509.01579,
title = {Time Evolution of the Growth of Single Graphene Crystals and High Resolution Isotope Labeling},
author = {Eric Whiteway and Wayne Yang and Victor Yu and Michael Hilke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.01579},
year = {2015}
}