抑制石墨烯电子束诱导碳氢化合物沉积用于原子级扫描透射电子显微镜研究
材料科学
2018-08-06 v1
摘要
用于（扫描）透射电子显微镜（(S)TEM）研究的CVD生长石墨烯必须将这一单原子厚度的薄膜从生长表面（通常为Cu箔）小心转移到TEM载网上。在此转移过程中，石墨烯不可避免地会被外来物质污染。这种污染在(S)TEM中非常棘手，因为通常>95%的石墨烯被遮挡，而对原始区域的成像会导致电子束诱导的碳氢化合物沉积，进一步遮挡所需的成像区域。本文中，我们考察了两种用于CVD生长石墨烯的清洗技术，它们同时缓解污染问题的两个方面：覆盖石墨烯的可见污染，以及在电子束辐照下沉积到石墨烯上的不可见污染。可见污染可通过原位快速热退火至1200 C迅速去除，而不可见的电子束沉积污染可在(S)TEM成像前通过Ar/O2退火程序去除。
引用
@article{arxiv.1709.00470,
title = {Mitigating E-beam-induced Hydrocarbon Deposition on Graphene for Atomic-Scale Scanning Transmission Electron Microscopy Studies},
author = {Ondrej Dyck and Songkil Kim and Sergei V. Kalinin and Stephen Jesse},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.00470},
year = {2018}
}