Cu(111)上超高真空生长石墨烯岛中的本征缺陷
介观与纳米尺度物理
2016-01-20 v1
摘要
我们展示了利用扫描隧道显微镜 (STM) 对通过在 Cu(111) 上超高真空 (UHV) 分解乙烯生长的石墨烯岛中的本征缺陷的研究。我们通过考察其表观高度、原子分辨率成像和详细的隧穿谱来表征这些缺陷。仅出现在石墨烯区域中的明亮缺陷被鉴定为石墨烯晶格中的 C 位点点缺陷，并且最可能是单个 C 空位。暗缺陷类型在石墨烯和 Cu 区域中均观察到，并且可能是 Cu 表面的点缺陷。我们还展示数据表明偏置和针尖终止对 STM 图像中缺陷的外观以及获得原子分辨率的能力的重要性。最后，我们给出探测点缺陷对石墨烯岛局域电子景观影响的隧穿谱测量。
引用
@article{arxiv.1505.05172,
title = {Native defects in ultra-high vacuum grown graphene islands on Cu(111)},
author = {S. M. Hollen and S. J. Tjung and K. R. Mattioli and G. A. Gambrel and N. M. Santagata and E. Johnston-Halperin and J. A. Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.05172},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 5 figures