石墨烯中缺陷诱导自旋与谷极化态的近期进展
介观与纳米尺度物理
2022-08-17 v1
摘要
由于独特的双原子蜂窝晶格和极弱的自旋轨道耦合，石墨烯中的电子具有四重自旋与谷简并，可支撑一系列破缺对称态。石墨烯中的原子尺度缺陷有望在纳米尺度解除这些简并自由度，从而产生丰富的量子态，为自旋电子学与谷电子学指明有前景的方向。本文主要综述近期关于石墨烯中单个原子尺度缺陷（包括单碳原子空位、氮原子掺杂剂和氢原子化学吸附）诱导的自旋和/或谷极化态的扫描隧道显微镜（STM）研究进展。最后，我们对该领域进行展望。
引用
@article{arxiv.2206.05936,
title = {Recent advances of defect-induced spin and valley polarized states in graphene},
author = {Yu Zhang and Liangguang Jia and Yaoyao Chen and Lin He and Yeliang Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.05936},
year = {2022}
}
备注
22 pages, 9 figures