石墨烯非均匀面外形变中标量场增强的非对称谷散射
介观与纳米尺度物理
2018-10-30 v3
摘要
我们研究了石墨烯中以高斯凸起形式存在的局域面外应变形变所产生的电子散射。特别令人关注的是将与形变引起的电荷重新分布相关的标量场，与赝磁场同等对待加以考虑。借助玻恩近似方法，我们解析地表明，即便只考虑相对较小的标量场，也可能随入射能量和入射角的变化产生相当强的谷非对称散射。此外，我们发现随着入射能量增大，谷极化可以反转其符号。若忽略标量场，这些行为完全不会出现。这些结果得到了电子波包量子动力学模拟的支持。局域应变石墨烯中波包的平均轨迹结果清晰地显示出由标量场存在所增强的聚焦与分束效应，这在谷电子学器件的实现中可能具有意义。
引用
@article{arxiv.1806.04708,
title = {Enhanced asymmetric valley scattering by scalar fields in non-uniform out-of-plane deformations in graphene},
author = {Ramon Carrillo-Bastos and Marysol Ochoa and Saúl A. Zavala and Francisco Mireles},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.04708},
year = {2018}
}