应变石墨烯中谷等自旋的操控用于谷电子学
介观与纳米尺度物理
2019-07-23 v1
摘要
石墨烯杰出的机械性能适于应变工程，为未来谷电子学及纳米机电应用提供了可能。本工作中，我们发现石墨烯 p-n 结上的高斯形应变因石墨烯扶椅边处谷等自旋间旋转角而导致量子霍尔电导振荡。此外，当应变诱导赝磁场值接近外磁场值时，观察到额外的 Fano 共振。源于真实与赝磁场间相互作用的提升的谷简并度，导致清晰的谷分辨 Fano 共振。探索以应变工程作为通过谷等自旋操控来控制电导的手段，被认为为潜在的石墨烯谷电子器件打开了大门。
引用
@article{arxiv.1907.09079,
title = {Manipulation of Valley Isospins in Strained Graphene for Valleytronics},
author = {Nojoon Myoung and Hyungkook Choi and Hee Chul Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.09079},
year = {2019}
}
备注
17 pages, 5 figures (including TOC figure)