有带隙石墨烯中的拓扑共振与单光周期谷极化
介观与纳米尺度物理
2019-09-25 v1
摘要
对于有带隙石墨烯，我们预测一个强超短（单次振荡）圆偏振光脉冲可以诱导出大的导带布居数和大的谷极化。随着带隙的增加，谷极化的幅度从零（对于本征无带隙石墨烯）逐渐增加到接近 1 的量级。被激发到导带的电子的能量带宽可以非常大（对于约 0.5 V/Å 的合理脉冲振幅，带宽 ≳ 10 eV）。这些现象源于拓扑共振效应：拓扑（几何）相位与动力学相位的匹配。具有可调带隙的有带隙石墨烯可被用作具有蜂窝状通用晶格结构和破缺反演对称性的二维半导体（例如过渡金属二硫族化物）的便捷通用模型。
引用
@article{arxiv.1909.03095,
title = {Topological resonance and single-optical-cycle valley polarization in gapped graphene},
author = {S. Azar Oliaei Motlagh and Fatemeh Nematollahi and Vadym Apalkov and Mark I. Stockman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.03095},
year = {2019}
}