超结构Mn-Cu(111)表面上石墨烯生长中晶界的抑制
材料科学
2015-06-03 v1
摘要
作为不良缺陷，晶界在现有金属衬底外延生长石墨烯的方法中普遍存在。通过密度泛函理论计算，我们首先确认，在Cu(111)表面成核的碳岛取向差异会导致岛合并时形成晶界。随后，我们提出了一条两步动力学路径来有效抑制晶界的形成。第一步，将大芳香烃分子沉积到√3×√3超结构Cu-Mn合金表面，以播种具有单一取向的初始碳团簇；第二步，通过常规的甲烷化学气相沉积使播种的岛扩大，形成完整的石墨烯片层。本方法有望克服大规模单晶石墨烯制备中的一个长期障碍。
引用
@article{arxiv.1112.2283,
title = {Suppression of Grain Boundaries in Graphene Growth on Superstructured Mn-Cu(111) Surface},
author = {Wei Chen and Hua Chen and Haiping Lan and Ping Cui and Tim P. Schulze and Wenguang Zhu and Zhenyu Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.2283},
year = {2015}
}