蓝宝石上铜膜中的巨大二次晶粒生长
材料科学
2013-05-23 v1
摘要
绝缘衬底上的单晶金属膜对于微电子学和其他应用具有吸引力，但很难在宏观长度尺度上实现。获得这种膜的常规方法是在超高真空条件下使用慢速沉积进行高温外延生长。这里我们描述了一种不同的方法：在适中温度下进行溅射沉积，然后退火以诱导二次晶粒生长。我们表明，沉积在-Al2O3(0001)上的多晶Cu可以转变为具有厘米级晶粒的Cu(111)。利用光学显微镜、X射线衍射和电子背散射衍射来表征退火前后的薄膜，我们发现一种特定的沉积态晶粒结构促进了退火时巨大晶粒的生长。为了展示这种膜的一种潜在应用，我们在退火Cu晶圆上通过化学气相沉积生长石墨烯，并获得了直径为0.2 mm的外延石墨烯晶粒。
引用
@article{arxiv.1305.5218,
title = {Giant Secondary Grain Growth in Cu Films on Sapphire},
author = {David L. Miller and Mark W. Keller and Justin M. Shaw and Katherine P. Rice and Robert R. Keller and Kyle M. Diederichsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.5218},
year = {2013}
}
备注
5 figures