具有不对称线缺陷的双层石墨烯的电子输运
介观与纳米尺度物理
2016-11-23 v2
摘要
本文研究了具有（不对称）线缺陷的双层石墨烯的量子特性。在线缺陷附近发现了局域态。因此，双层石墨烯某一特定层上的线缺陷可导致电输运通道。通过沿线缺陷方向施加偏置电势，我们利用Landauer-Büttiker理论计算了具有线缺陷的双层石墨烯的电导率，并通过与完美双层石墨烯的结果比较，表明该通道对电导率有显著影响。这种一维线电通道有望应用于纳米技术工程。
引用
@article{arxiv.1602.07417,
title = {Electronic transport of bilayer graphene with asymmetry line defects},
author = {Xiao-Ming Zhao and Ya-Jie Wu and Chan Chen and Ying Liang and Su-Peng Kou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.07417},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 7 figures