六方氮化硼在保护铁磁纳米结构免受氧化中的作用

铁磁接触被广泛用于向非磁性材料（如半导体或石墨烯等二维材料）中注入自旋极化电流。在这些系统中，铁磁材料的氧化对器件性能构成了内在限制。在此，我们研究了异位转移的化学气相沉积六方氮化硼（hBN）作为纳米结构钴和坡莫合金电极的氧化阻挡层的作用。由于 X 射线光电子发射电子显微镜具有高灵敏度和横向分辨率，我们利用它研究了铁磁体的化学状态。我们将被 hBN 覆盖的铁磁纳米结构上形成的氧化物厚度与未覆盖的参考结构进行了比较。我们的结果表明，hBN 降低了铁磁纳米结构的氧化速率，这意味着它可用作未来自旋电子器件中的超薄保护层。