氮族元素的二维八边形结构单层及其相关纳米结构
材料科学
2015-12-08 v4
摘要
为拓展二维材料家族，我们基于密度泛函理论 (DFT) 的第一性原理方法，预测了由正方形和八边形组成的氮族元素二维八边形结构的存在。根据我们的计算，所有单层的电子结构表明它们均为半导体，具有间接带隙 (N, P, Bi) 和直接带隙 (As, Sb) (0.57–2.61 eV)。我们还研究了三种不同未钝化边缘的纳米带及其能带结构。由于边缘重构和悬挂键的存在，不同边缘的 P、As、Sb 纳米带中存在铁磁边缘态，并且在一种特定 N 纳米带的能带结构中发现了 π 附近的狄拉克点。这些结构可能在未来的应用中发挥作用，例如半导体器件、自旋电子学、储氢和量子计算。
引用
@article{arxiv.1507.04876,
title = {Two-dimensional octagon-structure monolayer of nitrogen group elements and the related nano-structures},
author = {Yu Zhang and Jason Lee and Wei-Liang Wang and Dao-Xin Yao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.04876},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 5 figures, 2 tables