非晶碳围栏内的可控外延石墨烯生长
介观与纳米尺度物理
2016-11-29 v1
摘要
高质量石墨烯的结构化生长对于碳基电子学的发展是必要的。具体来说，控制SiC上外延石墨烯下表面台阶的聚集和位置是石墨烯器件生产的重要考虑因素。我们展示了通过光刻图案化蒸发的非晶碳围栏作为固定SiC表面台阶的方法。蒸发的非晶碳是SiC上理想的台阶流阻挡层，因为它与石墨烯生长具有化学相容性，在高温下结构稳定，并且可图案化。非晶碳在石墨烯生长前在真空中沉积在SiC上。在高于1200°C的石墨烯炉中，可移动的SiC台阶在这些非晶碳屏障处积累，在高于1330°C的温度下形成用于石墨烯生长的对齐无台阶区域。AFM成像和拉曼光谱支持在SiC上形成高质量的无台阶石墨烯片，其台阶形态与碳网格对齐。
引用
@article{arxiv.1402.4768,
title = {Controlled epitaxial graphene growth within amorphous carbon corrals},
author = {James Palmer and Jan Kunc and Yike Hu and John Hankinson and Zelei Guo and Claire Berger and Walt de Heer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.4768},
year = {2016}
}