SiO2基底上石墨烯与硅纳米线形貌相互作用的分子力学研究
材料科学
2011-11-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文利用分子力学模拟研究了SiO2基底上石墨烯与硅纳米线之间的形貌相互作用。考虑了两种情形：1）SiO2基底上由单根硅纳米线插层的石墨烯纳米带；2）SiO2基底上由平行均匀图案化硅纳米线阵列插层的毯状石墨烯薄片。这两种情形的模拟结果呈现出多种石墨烯形貌，这些形貌取决于几何参数（如石墨烯纳米带宽度、纳米线直径和纳米线间距）和材料性质（如石墨烯-纳米线和石墨烯-基底结合强度）。本研究在原子分辨率下的定量结果可进一步用于确定形貌调控下石墨烯电子性质的变化，而本研究的定性理解可推广应用于帮助探索其他材料体系中的石墨烯形貌。
引用
@article{arxiv.1111.4461,
title = {A Molecular Mechanics Study of Morphologic Interaction between Graphene and Si Nanowires on a SiO2 Substrate},
author = {Zhao Zhang and Teng Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.4461},
year = {2011}
}
备注
23 pages, 7 figures