KTa1-xNbxO3 薄膜的温度依赖拉曼散射研究
材料科学
2010-07-16 v1
摘要
我们报告了沉积在 MgO 和 LaAlO3 衬底上的 KTa1-xNbxO3 (x = 0.35, 0.5) 薄膜随温度变化的拉曼散射研究。在 90 K 至 720 K 范围内观察到的相序与端元材料 KNbO3 的结构相变相似。尽管相序相似，但观察到的实际相变温度与文献中报道的块体样品数据显著不同。即，薄膜中的四方（铁电）到立方（顺电）相变温度比块体样品高出多达 50 K。这种增强的铁电性归因于所研究薄膜中的双轴应变。
引用
@article{arxiv.1005.0070,
title = {Temperature-dependent Raman scattering of KTa1-xNbxO3 thin films},
author = {A. Bartasyte and J. Kreisel and W. Peng and M. Guilloux-Viry},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.0070},
year = {2010}
}