铁磁半导体中表面态的温度依赖行为
强关联电子
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
我们提出了一个模型计算，用于研究铁磁局域矩薄膜上表面态的温度依赖行为。该薄膜在 s-f 模型框架下描述，其中局域磁矩与巡游传导电子发生交换耦合。通过修改薄膜表面附近的跃迁来产生表面态。在表面态温度依赖行为的计算中，我们能够重现 Stoner 型和自旋混合行为，这与近期关于 Gd(0001) 表面态温度依赖行为的（逆）光电子发射数据一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0001141,
title = {The temperature dependent behaviour of surface states in ferromagnetic semiconductors},
author = {R. Schiller and W. Mueller and W. Nolting},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0001141},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 5 figures