外延生长对铁磁半导体 EuO 的影响
强关联电子
2008-03-08 v1 材料科学
摘要
我们通过第一性原理计算，研究了 EuO 在静水压和外延应力下的电子结构和磁学性质。EuO 的磁性与其 O 2p、Eu 4f 和 5d 能带之间存在复杂的相互依赖关系，而减小晶格参数是提高居里温度 的理想方法。与静水压相比，外延薄膜可用的面外补偿会影响 的提升，尽管 EuO 较小的泊松比使这种影响最小化。我们发现，对于外延生长，当面内晶格压缩达到 6% 时，半导体带隙闭合，此时活性交换机制必须发生显著的概念性转变。
引用
@article{arxiv.0711.4586,
title = {Epitaxial influence on the ferromagnetic semiconducotor EuO},
author = {N. J. C. Ingle and I. S. Elfimov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.4586},
year = {2008}
}