EuO中交换分裂与载流子自旋极化
强关联电子
2009-11-07 v2 材料科学
摘要
我们制备了高品质的EuO铁磁半导体薄膜, 并采用新形式的自旋分辨光谱学进行研究。我们观察到在铁磁状态下, 导带的交换分裂可达0.6 eV, 并在铁磁和金属-绝缘体转变温度之间引起电子结构的显著变化。我们还提供了导带底部主要由占据自旋构成的强证据。这表明EuO中的掺杂载流子 practically 完全自旋极化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105527,
title = {Exchange Splitting and Charge Carrier Spin Polarization in EuO},
author = {P. G. Steeneken and L. H. Tjeng and I. Elfimov and G. A. Sawatzky and G. Ghiringhelli and N. B. Brookes and D. -J. Huang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105527},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures