通过EuO自旋过滤隧道结的电子输运
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1
摘要
基于铁磁半导体一氧化铕EuO的外延自旋过滤隧道结，通过密度泛函理论进行研究。特别关注Cu(100)/EuO(100)/Cu(100)结的自旋输运性质。透射系数和电流-电压曲线对界面间距和EuO厚度的依赖性，通过EuO态密度和复能带结构来解释。此外，还讨论了自旋输运性质与Cu-EuO界面几何结构的关系。结的能级对齐敏感地受界面间距影响，因为这决定了EuO与Cu电极之间的电荷转移。我们的计算表明，在Cu上外延生长的EuO可以作为完美的自旋过滤器，电流自旋极化接近100%，并且Eu-5d导带和Eu-4f价带态都对相干输运有贡献。对于Cu上的外延EuO，观察到对称性过滤，Δ1态主导透射。这导致输运带隙大于EuO的基本带隙。重要的是，电流的高自旋极化在大偏压电压下得以保持。
引用
@article{arxiv.1207.2061,
title = {Electronic Transport Through EuO Spin Filter Tunnel Junctions},
author = {Nuttachai Jutong and Ivan Rungger and Cosima Schuster and Ulrich Eckern and Stefano Sanvito and Udo Schwingenschloegl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.2061},
year = {2015}
}