EuO/Si 自旋接触的能带结构：硅自旋电子学的依据
材料科学
2016-03-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
硅自旋电子学需要将自旋极化载流子注入 Si。一种新兴方法是从铁磁半导体（EuO 是首选）直接电注入。EuO/Si 自旋接触的功能由界面能带排列决定。特别地，能带偏移应落在 0.5-2 eV 范围内。我们采用软 X 射线 ARPES 以动量分辨和元素特异性探测埋藏的 EuO/Si 界面的电子结构。能带结构显示出 1.0 eV 的导带偏移，证明了 EuO/Si 系统的技术潜力。
引用
@article{arxiv.1603.04666,
title = {Band Structure of EuO/Si Spin Contact: Justification for Silicon Spintronics},
author = {Leonid L. Lev and Dmitry V. Averyanov and Andrey M. Tokmachev and Federico Bisti and Victor A. Rogalev and Vladimir N. Strocov and Vyacheslav G. Storchak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.04666},
year = {2016}
}