量子线中一维自旋轨道能隙的观测

在过去十年中，对磁性层状结构中自旋流动的理解使得硬盘驱动器的数据存储密度增加了两个数量级以上。继这一显著成功之后，“自旋电子学”或基于自旋的电子学领域正超越基于局域自旋极化的效应，并将注意力转向自旋轨道相互作用（SOI）效应。SOI 效应有望用于自旋流的产生、检测和操控，从而允许设备内信息的相干传输。尽管 SOI 诱导的自旋输运效应已在二维和三维样品中被观测到，但这些效应一直很微弱且难以捉摸，通常只能在电输运中间接检测，或者需要借助更复杂的技术。在此，我们首次在一维样品中观测到了预测的“自旋轨道能隙”，其中构成自旋流的反向传播自旋，在系统易于测量的线性电导中伴随着清晰的信号。