NiO能带结构的再探讨
材料科学
2009-10-26 v1 其他凝聚态物理
摘要
强关联半导体如NiO的能带结构一直是许多争论的对象[PRL 103, 036404 (2009); PRL 102, 226401 (2009)]。大多数作者使用远超简单密度泛函理论及GGA或LDA近似的计算技术，声称带隙约为4.0 eV，且导带具有Ni-3d性质。因此，他们似乎忽略了电子能量损失谱和非弹性X射线散射的结果，这两种方法都能确定仅约1.0 eV的电子跃迁到光学禁阻的Ni-3d带。此外，Ni++自旋翻转能量的简单原子计算表明，4.0 eV处的Ni-3d带是不可能的。为了澄清这个问题，我们使用PRB 78, 125116 (2008)中非常成功的技术计算了NiO。结果发现，4.0 eV处的带是光学可及的，由激发原子态构成，而非Ni-3d。除此之外，我们还发现了一个约1.0 eV的窄Ni-3d带。为了再次确认我们的方法，我们还计算了MnO，并得到了与上述优秀计算以及实验一致的标准结果。
引用
@article{arxiv.0910.4485,
title = {Band structure of NiO revisited},
author = {Luiz G. Ferreira and Lara K. Teles and Marcelo Marques},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.4485},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 1 figure