NiO：电荷转移绝缘体的关联能带结构
强关联电子
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们结合使用{\it ab initio}能带计算方法和带有量子 Monte-Carlo 杂质求解器的动力学平均场理论，计算了典型电荷转移绝缘体 NiO 的能带结构。通过采用包含 Ni-d 和 O-p 轨道的哈密顿量，我们发现计算结果与角分辨光电子能谱确定的能带吻合极好。这解决了固态理论中的一个长期存在的问题。最值得注意的是，我们获得了低能 Zhang-Rice 能带，其具有先前在低能模型理论背景下讨论过的强 依赖轨道特征。
引用
@article{arxiv.0705.1692,
title = {NiO: Correlated Bandstructure of a Charge-Transfer Insulator},
author = {J. Kunes and V. I. Anisimov and S. L. Skornyakov and A. V. Lukoyanov and D. Vollhardt},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.1692},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figure