关联绝缘体电子结构的超快修饰
材料科学
2021-12-28 v2
摘要
库仑排斥与动力学效应之间非平凡的权衡决定了关联电子材料的电子结构。使用足以与这些本征微观相互作用相抗衡的强电磁场，使我们能够研究电子响应，以及利用量子效应实现潜在应用所涉及的时间尺度和能量。我们利用元素分辨瞬态 X 射线吸收光谱和高次谐波产生，测量了原型关联电子绝缘体 NiO 对超短离共振光学场的响应。令人惊讶的是，高达 0.22 V/Å 的场并未引起关联 Ni 3d 轨道可检测的变化，这与先前的预测相反。我们揭示了一种瞬态定向电荷转移，该行为被第一性原理理论所捕捉。我们的结果凸显了电子屏蔽中推迟效应的重要性，并指出了将关联材料用于超快器件操作功能化的一项关键挑战。
引用
@article{arxiv.2008.11115,
title = {Ultrafast modification of the electronic structure of a correlated insulator},
author = {O. Grånäs I. Vaskivskyi and X. Wang and P. Thunström and S. Ghimire and R. Knut and J. Söderström and L. Kjellsson and D. Turenne and R. Y. Engel and M. Beye and J. Lu and A. H. Reid and W. Schlotter and G. Coslovich and M. Hoffmann and G. Kolesov and C. Schüßler-Langeheine and A. Styervoyedov and N. Tancogne-Dejean and M. A. Sentef and D. A. Reis and A. Rubio and S. S. P. Parkin and O. Karis and J. Nordgren and J. -E. Rubensson and O. Eriksson and H. A. Dürr},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.11115},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 3 figure, supplemental material not included in document