利用 K 边 X 射线吸收光谱测量本征电荷转移隙

X 射线吸收光谱中的前边特征包含了关于最低激发态的关键信息，从而揭示了系统最有趣的物理性质。在过渡金属氧化物中，这些特征结构尤为明显，但由于若干计算挑战，通过与计算进行比较来提取物理参数并不容易。通过在第一性原理方法中结合芯空穴吸引和相关效应，我们计算了 NiO 中的 Ni K 边 X 射线吸收谱。我们获得了与实验数据惊人的、无参数的一致性，并表明相关隙上方的偶极前边特征是由 largely 不受芯空穴影响的非局域激发引起的。我们表明，在电荷转移绝缘体中，利用这一特性可以测量相关隙并探测上 Hubbard 带的本征位置。