光学光谱揭示的 Nd$_{4}$Ni$_{3}$O$_{8}$ 中电荷条纹涨落

我们研究了 Nd$_{4}$Ni$_{3}$O$_{8}$ 在 300 至 5~K 不同温度、宽频范围内的光学性质。5~K 下的光学电导率被分解为红外活性声子、远红外带 $\alpha$、中红外带 $\beta$ 以及高能吸收边。通过将测得的光学电导率与第一性原理计算及其他镍酸盐的光学响应比较，我们发现 Nd$_{4}$Ni$_{3}$O$_{8}$ 具有显著的电荷条纹涨落。$\beta$ 带归因于涨落电荷条纹导致的带隙 Ni-$d_{x^2-y^2}$ 能带间的电子跃迁，而高频吸收边对应于涉及其他高能能带跃迁的起始。此外，对温度依赖的光学谱权重的分析揭示了 $T^{2}$ 定律，其可能源于强关联效应。