四方 CuMnAs 合金：缺陷的作用

具有四方结构的反铁磁（AFM）CuMnAs 合金是一种用于 AFM 自旋电子学的有前景的材料。电阻率测量表明存在缺陷，但其类型与浓度更多是推测而非已知。我们通过新的第一性原理总能计算确认了 Mn 或 Cu 亚晶格上的空位以及 Mn$_{\rm Cu}$ 和 Cu$_{\rm Mn}$ 反位作为 CuMnAs 中最可能的缺陷。我们估算了可能缺陷类型的电阻率，以及可获得 X 射线结构分析的样品的电阻率。在后一种情形中，我们发现具有低形成能的含 Cu 和 Mn 空位的样品其电阻率也与实验吻合良好。最后，我们还计算了交换相互作用，并使用蒙特卡洛方法估算了尼尔温度。获得了与实验的良好一致。