CuMnAs中的自旋翻转与晶态各向异性磁电阻
材料科学
2021-06-22 v2
摘要
近期的研究表明，由于两种物理机制——尼尔序自旋轨道转矩与各向异性磁电阻，某些反铁磁材料中的磁序可被电学操控与探测。尽管这些观察结果为将反铁磁体用于磁存储器件开辟了机会，但仍需不同的物理表征方法以更好地理解这些机制。在此，我们报道了外延四方CuMnAs薄膜中磁场诱导的反铁磁尼尔矢量转动。利用软X射线磁线二色光谱、X射线光电子发射显微镜、积分磁强法与磁输运方法，我们分别展示了具有单轴与双轴磁各向异性的反铁磁薄膜中的自旋翻转开关与连续自旋重取向。由磁化与磁电阻的场依赖测量，我们获得了关键材料参数，包括各向异性磁电阻系数、磁晶各向异性、自旋翻转场与交换场。
引用
@article{arxiv.1911.12381,
title = {Spin flop and crystalline anisotropic magnetoresistance in CuMnAs},
author = {M. Wang and C. Andrews and S. Reimers and O. J. Amin and P. Wadley and R. P. Campion and S. F. Poole and J. Felton and K. W. Edmonds and B. L. Gallagher and A. W. Rushforth and O. Makarovsky and K. Gas and M. Sawicki and D. Kriegner and J. Zubac and K. Olejnik and V. Novak and T. Jungwirth and M. Shahrokhvand and U. Zeitler and S. S. Dhesi and F. Maccherozzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.12381},
year = {2021}
}
备注
26 pages, 6 figures