成像CuMnAs中电流诱导的反铁磁畴翻转
介观与纳米尺度物理
2017-02-02 v2
摘要
反铁磁(AF)材料中的磁序难以用外部磁场控制。然而，最近在用电检测和操纵AF序方面的进展为这些材料在基础和应用自旋电子学研究中开辟了新的前景。利用X射线磁线性二色性显微镜，我们在此表明，由电流产生的交错有效场可以诱导由四方CuMnAs薄膜制成的微器件中反铁磁畴结构的可重复和可逆修改。电流诱导的畴翻转在亚微米尺度上是不均匀的。在平均畴取向与电阻各向异性之间展示了明确的相关性。
引用
@article{arxiv.1607.08478,
title = {Imaging current-induced switching of antiferromagnetic domains in CuMnAs},
author = {M. J. Grzybowski and P. Wadley and K. W. Edmonds and R. Beardsley and V. Hills and R. P. Campion and B. L. Gallagher and J. S. Chauhan and V. Novak and T. Jungwirth and F. Maccherozzi and S. S. Dhesi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.08478},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures