CuMnAs 薄膜中缺陷驱动的反铁磁畴壁
材料科学
2022-02-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
反铁磁（AF）畴与畴壁的高效操控为超快、高密度自旋电子器件研究开辟了新途径。已知 AF 畴结构对磁弹性效应敏感，但晶格缺陷、应变与磁有序的微观相互作用仍很大程度上未知。在此，我们利用光电子发射显微镜结合扫描 X 射线衍射成像与微磁模拟揭示，CuMnAs 薄膜中的 AF 畴结构由纳米尺度结构孪晶缺陷主导。我们证明贯穿薄膜整个厚度并在表面以特征线终止的微孪晶缺陷决定了 180 度和 90 度畴壁的位置与取向。结果强调了纳米尺度晶格缺陷在决定 AF 畴与畴壁中的关键作用，并为优化器件性能提供了一条途径。
引用
@article{arxiv.2110.03724,
title = {Defect-driven antiferromagnetic domain walls in CuMnAs films},
author = {Sonka Reimers and Dominik Kriegner and Olena Gomonay and Dina Carbone and Filip Krizek and Vit Novak and Richard P. Campion and Francesco Maccherozzi and Alexander Bjorling and Oliver J. Amin and Luke X. Barton and Stuart F. Poole and Khalid A. Omari and Jan Michalicka and Ondrej Man and Jairo Sinova and Tomas Jungwirth and Peter Wadley and Sarnjeet S. Dhesi and Kevin W. Edmonds},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.03724},
year = {2022}
}