合成反铁磁体中畴壁的复合拓扑结构

A. G. Kolesnikov; V. S. Plotnikov; E. V. Pustovalov; A. S. Samardak; L. A. Chebotkevich; A. V. Ognev; Oleg A. Tretiakov

doi:10.1038/s41598-018-33780-6

合成反铁磁体中畴壁的复合拓扑结构

介观与纳米尺度物理 2018-10-30 v1 材料科学

作者: A. G. Kolesnikov , V. S. Plotnikov , E. V. Pustovalov , A. S. Samardak , L. A. Chebotkevich , A. V. Ognev , Oleg A. Tretiakov

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摘要

我们基于 Co/Ru/Co 薄膜实验研究了合成反铁磁体中磁畴的结构与动力学。由这些结构中的双重畴壁所包含的拓扑缺陷之间的相互作用产生了显著效应。在施加磁场下，双重畴壁遵循构筑于壁中的双-meron（双涡旋/双反涡旋）拓扑缺陷的动力学而传播。外场的施加引发了丰富的动力学响应：传播依赖于畴壁中双涡旋与双反涡旋的相互取向与手性。对于某些构型，我们观察到复合畴壁在增强磁场中的突跳，这与复合 skyrmion 的衰变相关。这些特征使得合成反铁磁体中畴壁运动的可控性增强，并有望将其用作未来逻辑与存储器件中的信息载体。

关键词

合成反铁磁体畴壁拓扑缺陷双-meron skyrmion 畴壁运动

引用

@article{arxiv.1710.10968,
  title  = {Composite topological structure of domain walls in synthetic antiferromagnets},
  author = {A. G. Kolesnikov and V. S. Plotnikov and E. V. Pustovalov and A. S. Samardak and L. A. Chebotkevich and A. V. Ognev and Oleg A. Tretiakov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1710.10968},
  year   = {2018}
}

备注

7 pages, 5 figures

合成反铁磁体中畴壁的复合拓扑结构

摘要

关键词

引用

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