嵌入 GaN 中的磁性纳米晶平面阵列
材料科学
2015-06-11 v1
摘要
通过外延工艺制备了嵌入 GaN 中的单平面 Ga(x)Fe(4-x)N 磁性纳米晶阵列。通过高分辨透射电子显微镜和高分辨 X 射线衍射研究了纳米晶的相及其与宿主基体的外延关系。通过改变生长参数和模式，可以按需改变纳米晶的晶体学相和化学成分。鉴于不同相具有不同的磁性质，展望了其在室温铁磁以及反铁磁自旋电子器件中的应用。
引用
@article{arxiv.1208.2356,
title = {Planar arrays of magnetic nanocrystals embedded in GaN},
author = {A. Navarro-Quezada and T. Devillers and Tian Li and A. Bonanni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.2356},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures