顶点修正GW方法中完全与准粒子自洽性的比较

利用七种带隙覆盖1 eV至10 eV范围的半导体/绝缘体，我们系统探究了与著名的Hedin方程组相关的两种不同自洽变体的表现：完全自洽及其所谓的准粒子近似。这两种自洽变体在Hedin方程最简GW近似下的优劣已在文献中充分记载。因此，我们的研究主要针对GW近似之外的理论层级，即包含顶点修正的理论层级。尽管准粒子自洽在GW层级具有某些优势（已知事实），但当包含顶点修正时情况变得相当不同。在完全自洽变体中，顶点修正（对极化率和自能均如此）系统性地减小计算带隙，使其更接近实验值。然而，在准粒子自洽变体中，包含相同图的作用明显更大，计算带隙被严重低估。两种自洽变体中顶点修正的不同效应可归因于Z因子抵消，该抵消在GW理论层级准粒子自洽中起积极作用，但当包含高阶图时，对准粒子近似似具破坏性。我们研究的第二个结果是，当使用相同的自洽变体（准粒子）和相同的顶点修正层级（仅极化率、屏蔽相互作用的静态近似、以及Bethe-Salpeter方程的Tamm-Dancoff近似）时，我们能用我们的FlapwMBPT代码复现Questaal代码所得结果。