Na、K、Si和LiF的电子结构：基于包含顶点修正的Hedin方程自洽解
强关联电子
2016-10-12 v4
摘要
提出了几种求解Hedin方程的自洽方案。它们包含不同复杂度的顶点修正。完全避免了常用的格林函数准粒子近似和屏蔽相互作用的静态近似。以碱金属Na和K以及半导体Si和宽禁带绝缘体LiF为例，表明在极化率P和自能中的顶点修正都十分重要。特别是，在中的顶点修正结合对屏蔽相互作用频率依赖性的适当处理，总是减小计算得到的能带宽度/带隙，从而改善与实验的一致性。包含在P和中的顶点复杂度可以不同。虽然在极化率的情况下通常必须求解相应顶点函数的Bethe-Salpeter方程，但（对于本研究中的材料）在自能中纳入一阶顶点已足够。与自洽GW近似以及自洽准粒子GW近似相比，采用适当顶点的计算在能带宽度和带隙的计算上显示出显著改进。
引用
@article{arxiv.1605.08253,
title = {Electronic structure of Na, K, Si, and LiF from self-consistent solution of Hedin's equations including vertex corrections},
author = {Andrey L. Kutepov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.08253},
year = {2016}
}
备注
23 pages, 20 figures, 7 tables