拓扑半金属候选材料 TbPtBi 中的大反常霍尔角
材料科学
2021-02-24 v1
摘要
我们研究了反铁磁性半赫斯勒单晶 TbPtBi 的磁输运性质，这是一种具有简单能带结构的磁场诱导拓扑半金属。我们发现，在高磁场（B>7 T）下反常霍尔电阻率呈现非单调的磁场依赖关系，这源于外加磁场时由类塞曼分裂引起的能带结构变化。实验结果表明，可信的反常霍尔电阻率和电导率分别达到 0.6798 mΩ·cm 和 125 Ω⁻¹·cm⁻¹。在 TbPtBi 中获得了高达 33% 的大反常霍尔角（AHA），可与典型的铁磁性 Weyl 半金属相比。结果分析表明，这应归因于 EF 附近的拓扑能带和低载流子密度。
引用
@article{arxiv.2011.06864,
title = {Large anomalous Hall angle in a topological semimetal candidate TbPtBi},
author = {Jie Chen and Hang Li and Bei Ding and Hongwei Zhang and Enke Liu and Wenhong Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.06864},
year = {2021}
}
备注
9 pages